Для того чтобы ответить на вопрос о правильности утверждений для схемы с транзистором, необходимо понимать, как работают транзисторы и какие условия необходимы для протекания тока в нагрузке. Рассмотрим каждое из предложенных утверждений:

1. Ток в нагрузке будет протекать, если поменять полярность источника питания E и при наличии входного напряжения транзистора положительной полярности.

Это утверждение может быть верным в зависимости от типа транзистора. Если у нас, например, полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET) типа N-канал, то для его открытия необходимо положительное напряжение на затворе относительно истока. Если поменять полярность источника питания, то это может изменить условия работы схемы, но не обязательно приведет к протеканию тока. Важно учитывать тип транзистора и его подключение в схеме.

2. Ток в нагрузке будет протекать, если подать импульс управления положительной полярности на затвор транзистора.

Это утверждение более универсально для транзисторов. Например, для N-канального MOSFET транзистора подача положительного напряжения на затвор относительно истока приведет к его открытию, что позволит току протекать через транзистор и нагрузку. Для P-канального MOSFET транзистора потребуется отрицательное напряжение на затворе относительно истока для открытия. Таким образом, для N-канального MOSFET это утверждение верно.

3. Ток в нагрузке будет протекать, если поменять полярность источника питания E.

Это утверждение может быть верным только в специфических случаях. Обычно изменение полярности источника питания без учета других условий (например, без подачи управляющего напряжения на затвор) не приведет к протеканию тока через нагрузку. Более того, изменение полярности может привести к повреждению компонентов схемы, если они не рассчитаны на такую работу.

Таким образом, наиболее вероятно правильным является второе утверждение, так как оно описывает стандартный способ управления транзистором для открытия его канала и протекания тока через нагрузку.