Правильная выходная характеристика биполярного транзистора

• 
• 
• 

Другие предметы Колледж Транзисторы и их характеристики биполярный транзистор выходная характеристика электротехника колледж анализ транзистора характеристики транзистора основы электротехники Новый

Выходная характеристика биполярного транзистора (БТ) является графическим представлением зависимости тока коллектора (Ic) от напряжения коллектора-эмиттера (Uce) при различных значениях тока базы (Ib). Эта характеристика очень важна для понимания работы транзистора в различных режимах: активном, насыщения и отсечки.

Для построения правильной выходной характеристики биполярного транзистора, следуйте следующим шагам:

1. Подготовка схемы:
   • Соберите схему с биполярным транзистором, источником питания и резисторами.
   • Подключите резистор к базе транзистора для ограничения тока базы.
   • Убедитесь, что транзистор подключен правильно: эмиттер к земле, коллектор к источнику питания через нагрузку.
2. Измерение тока базы:
   • Установите фиксированное значение тока базы (Ib) с помощью резистора.
   • Запишите значение тока базы для каждой точки, которую будете измерять.
3. Измерение тока коллектора и напряжения:
   • Изменяйте напряжение на коллекторе (Uce) от 0 до максимального значения, при этом фиксируя значение тока коллектора (Ic).
   • Записывайте значения Ic для каждого значения Uce при заданном Ib.
4. Построение графика:
   • На координатной плоскости отложите напряжение Uce по оси абсцисс (X), а ток Ic по оси ординат (Y).
   • Для каждого фиксированного значения Ib постройте соответствующую кривую, соединяя точки измерений.
5. Анализ характеристик:
   • Обратите внимание на разные участки графика:
   • Активный режим: Ic линейно зависит от Ib.
   • Режим насыщения: Ic достигает максимального значения, а Uce становится минимальным.
   • Режим отсечки: Ic равен нулю, когда Ib тоже равен нулю.

Таким образом, выходная характеристика биполярного транзистора позволяет понять, как транзистор будет вести себя в различных условиях, и является основой для проектирования схем на его основе.