Выходная характеристика биполярного транзистора (БТ) является графическим представлением зависимости тока коллектора (Ic) от напряжения коллектора-эмиттера (Uce) при различных значениях тока базы (Ib). Эта характеристика очень важна для понимания работы транзистора в различных режимах: активном, насыщения и отсечки.
Для построения правильной выходной характеристики биполярного транзистора, следуйте следующим шагам:
- Подготовка схемы:
- Соберите схему с биполярным транзистором, источником питания и резисторами.
- Подключите резистор к базе транзистора для ограничения тока базы.
- Убедитесь, что транзистор подключен правильно: эмиттер к земле, коллектор к источнику питания через нагрузку.
- Измерение тока базы:
- Установите фиксированное значение тока базы (Ib) с помощью резистора.
- Запишите значение тока базы для каждой точки, которую будете измерять.
- Измерение тока коллектора и напряжения:
- Изменяйте напряжение на коллекторе (Uce) от 0 до максимального значения, при этом фиксируя значение тока коллектора (Ic).
- Записывайте значения Ic для каждого значения Uce при заданном Ib.
- Построение графика:
- На координатной плоскости отложите напряжение Uce по оси абсцисс (X),а ток Ic по оси ординат (Y).
- Для каждого фиксированного значения Ib постройте соответствующую кривую, соединяя точки измерений.
- Анализ характеристик:
- Обратите внимание на разные участки графика:
- Активный режим: Ic линейно зависит от Ib.
- Режим насыщения: Ic достигает максимального значения, а Uce становится минимальным.
- Режим отсечки: Ic равен нулю, когда Ib тоже равен нулю.
Таким образом, выходная характеристика биполярного транзистора позволяет понять, как транзистор будет вести себя в различных условиях, и является основой для проектирования схем на его основе.