Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет

• более низкое быстродействие
• более высокое сопротивление канала в проводящем состоянии
• более высокое быстродействие
• более низкое сопротивление канала в проводящем состоянии

Другие предметы Колледж Полупроводниковые приборы статический индукционный транзистор полевой транзистор изолированный затвор быстродействие сопротивление канала силовая электроника колледж Новый

Для того чтобы ответить на вопрос о сравнении статического индукционного транзистора (SIT) и полевого транзистора с изолированным затвором (MOSFET), давайте разберем основные характеристики этих устройств.

1. Быстродействие:
   • Статические индукционные транзисторы обычно имеют более низкое быстродействие по сравнению с полевыми транзисторами. Это связано с тем, что SIT имеет более сложную структуру управления и требует больше времени для переключения.
2. Сопротивление канала в проводящем состоянии:
   • Полевые транзисторы с изолированным затвором имеют более низкое сопротивление канала в проводящем состоянии. Это делает их более эффективными для работы в высокочастотных и высокомощных приложениях.
   • С другой стороны, статические индукционные транзисторы имеют более высокое сопротивление канала, что может ограничивать их применение в некоторых случаях.

Таким образом, в сравнении с полевым транзистором с изолированным затвором, статический индукционный транзистор имеет:

• более низкое быстродействие,
• более высокое сопротивление канала в проводящем состоянии.

На основании вышеизложенного, правильный ответ на ваш вопрос - статический индукционный транзистор имеет более низкое быстродействие и более высокое сопротивление канала в проводящем состоянии по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором.