В МОП-транзисторе (металлооксидный полупроводник) управляющее напряжение действительно подается на затвор. Давайте подробнее разберем, как это работает и какие шаги необходимо учитывать при анализе работы МОП-транзистора.

• МОП-транзистор состоит из трех основных областей: истока (source), стока (drain) и затвора (gate).
• Затвор разделен от подложки (или канала) тонким слоем диэлектрика, обычно это оксид кремния.
• Подложка может быть p- или n-типом, в зависимости от типа транзистора (n-канальный или p-канальный).

• Когда на затвор подается положительное напряжение (для n-канального транзистора), создается электрическое поле, которое притягивает электроны из подложки к затвору.
• Это приводит к образованию проводящего канала между истоком и стоком, позволяя току проходить через транзистор.
• Ширина этого канала зависит от величины напряжения на затворе: чем выше напряжение, тем шире канал.

• Для n-канального МОП-транзистора необходимо, чтобы напряжение на затворе было выше порогового напряжения (Vth), чтобы транзистор начал проводить ток.
• Для p-канального транзистора ситуация обратная: необходимо отрицательное напряжение на затворе.

• МОП-транзисторы широко используются в различных схемах для управления током, включая усилители, переключатели и схемы преобразования энергии.
• Они обеспечивают высокую эффективность и малое потребление энергии, что делает их популярными в современных электронных устройствах.

Таким образом, управляющее напряжение на затворе МОП-транзистора играет ключевую роль в формировании проводящего канала и, следовательно, в управлении током, проходящим через транзистор. Понимание этого процесса важно для работы с силовой электроникой и проектирования электронных схем.