В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы

• открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
• открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
• закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
• закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода

Другие предметы Колледж Отказы в мостовых схемах на МДП-транзисторах силовая электроника мостовые схемы МДП-транзисторы отказы транзисторов заряд входной емкости паразитный биполярный транзистор внутренний обратный диод электроника колледж обучение силовой электронике проблемы силовой электроники Новый

В мостовых схемах, использующих быстрые МДП-транзисторы, действительно могут возникать различные отказы, которые могут негативно сказаться на работе устройства. Давайте подробнее рассмотрим каждый из упомянутых вами отказов и их причины.

1. Открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня.

   Когда нижний транзистор открывается, он требует определенного уровня напряжения на входе. Если заряд на входной емкости превышает пороговое значение, это может привести к непреднамеренному открытию транзистора. Это состояние может возникнуть при быстром переключении, когда остаточный заряд не успевает разрядиться.

2. Открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода.

   Внутренний обратный диод в МДП-транзисторе может создать условия для открытия паразитного биполярного транзистора, если во время переключения возникают определенные условия (например, обратное напряжение). Это может привести к нежелательным токам и нарушению работы схемы.

3. Закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня.

   При закрытии нижнего транзистора также важно, чтобы заряд на входной емкости был ниже порогового уровня. Если заряд остается высоким, это может привести к тому, что транзистор не закроется полностью, что может вызвать перегрев и повреждение устройства.

4. Закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода.

   Когда внутренний обратный диод выключается, паразитный биполярный транзистор может не закрываться должным образом из-за остаточного заряда. Это также может привести к непредсказуемым последствиям, включая короткие замыкания или повреждение других элементов схемы.

Каждый из этих отказов может привести к серьезным проблемам в работе мостовой схемы. Поэтому важно тщательно проектировать схемы и учитывать возможные сценарии, чтобы минимизировать риски возникновения таких ситуаций.