Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения необходимо сместить переходы

Другие предметы Университет Режимы работы биполярных транзисторов биполярный транзистор p-n-p режим насыщения силовая электроника переходы транзистора управление транзистором электрические схемы университет силовая электроника Новый

Для того чтобы понять, как сместить переходы биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения, давайте разберем основные моменты, связанные с работой транзисторов и их режимами.

1. Основные понятия:

• Биполярный транзистор (БТ): Это полупроводниковый прибор, который управляет потоком электрического тока. Он имеет три области: эмиттер (E), база (B) и коллектор (C).
• Режим насыщения: Это режим работы транзистора, когда он полностью открыт, и ток через него максимален. В этом режиме напряжение между коллектором и базой минимально.

2. Переходы в транзисторе:

• В биполярном транзисторе есть два перехода: эмиттер-база (EB) и база-коллектор (BC).
• Для того чтобы транзистор работал в режиме насыщения, необходимо сместить оба перехода.

3. Смещение переходов:

1. Смещение перехода эмиттер-база: Этот переход должен быть смещен в прямом направлении. Это означает, что на эмиттер необходимо подать более положительное напряжение по сравнению с базой.
2. Смещение перехода база-коллектор: Этот переход должен быть смещен в обратном направлении, то есть напряжение на коллекторе должно быть ниже, чем на базе. Однако в режиме насыщения это напряжение также должно быть достаточно высоким, чтобы обеспечить протекание тока через транзистор.

4. Условия для достижения режима насыщения:

• Напряжение на эмиттере должно быть значительно выше, чем на базе.
• Напряжение на коллекторе должно быть ниже, чем на базе, но все еще должно оставаться положительным относительно эмиттера.

Таким образом, для достижения режима насыщения биполярного транзистора p-n-p-типа необходимо правильно установить напряжения на его выводах, чтобы оба перехода были смещены в нужном направлении. Это обеспечит максимальный ток через транзистор и его полное открытие.