IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) является полевым транзистором, который сочетает в себе преимущества как биполярных транзисторов, так и MOSFET. Он широко используется в различных областях, однако есть некоторые ограничения в его применении. Давайте разберем, в каких областях IGBT не находит применения:

• Высокие напряжения: IGBT хорошо работает на средних и высоких напряжениях, но при очень высоких напряжениях (например, выше 3 кВ) его применение может быть ограничено из-за увеличения потерь на утечку и ухудшения характеристик.
• Высокие частоты: IGBT не подходит для высокочастотных приложений (обычно выше 20-30 кГц), так как его время переключения больше, чем у MOSFET. Это приводит к значительным потерям энергии при частотах, превышающих его рабочие пределы.
• Высокие мощности: Хотя IGBT может работать с высокими мощностями, в некоторых случаях более эффективными являются другие технологии, такие как MOSFET или биполярные транзисторы, особенно в приложениях, где требуется высокая эффективность и быстрота переключения.
• Высокие токи коммутации: При больших токах IGBT может испытывать проблемы с перегревом и потерями на переключение. В таких случаях лучше использовать транзисторы, которые специально разработаны для работы с высокими токами.

Таким образом, IGBT не находит широкого применения в областях, связанных с высокими частотами, высокими токами коммутации и очень высокими напряжениями, из-за своих ограничений по характеристикам и эффективности в этих условиях.