Гибридные интегральные микросхемы (ГИМС) представляют собой уникальный класс микросхем, которые объединяют в себе как активные, так и пассивные компоненты. Рассмотрим характеристики, которые могут быть применимы к ГИМС.

• Выполнены в кристалле по единому технологическому циклу: ГИМС не всегда выполняются в кристалле по единому технологическому циклу, так как они могут содержать компоненты, изготовленные разными способами (например, тонкопленочной технологией).
• Пассивные компоненты выполнены на поверхности подложки тонкопленочной технологией: Это верно. В гибридных микросхемах часто используются тонкопленочные технологии для создания пассивных компонентов, таких как резисторы и конденсаторы.
• Используются бескорпусные активные компоненты: Да, в ГИМС часто используются бескорпусные активные компоненты, такие как транзисторы, что позволяет уменьшить размеры и повысить плотность интеграции.
• Не могут быть изготовлены трансформаторы, катушки индуктивности и конденсаторы большой емкости: Это утверждение верно. ГИМС не предназначены для создания крупных индуктивных компонентов, таких как трансформаторы и катушки индуктивности, а также конденсаторов с большой емкостью.
• Точность получения параметров отдельных компонентов и их температурные показатели оказываются пониженными: Это не совсем верно. ГИМС могут обеспечивать достаточно высокую точность, хотя она может варьироваться в зависимости от технологии изготовления.
• Достигается высокая степень идентичности одинаковых элементов (например, двух транзисторов): Да, это одно из преимуществ ГИМС, так как компоненты могут быть изготовлены в одном технологическом процессе, что обеспечивает высокую идентичность.
• Высокая степень интеграции: Верно. ГИМС обеспечивают высокую степень интеграции, что позволяет разместить множество функций на небольшой площади.
• Высокая точность отдельных элементов: В целом, ГИМС могут обеспечивать высокую точность, особенно в сравнении с дискретными компонентами.
• Малая степень интеграции: Это неверно. ГИМС, как правило, имеют высокую степень интеграции.

Таким образом, основные характеристики гибридных интегральных микросхем включают использование тонкопленочной технологии для пассивных компонентов, бескорпусные активные компоненты, высокую степень интеграции и идентичности элементов. Однако они не предназначены для изготовления крупных индуктивных компонентов и могут иметь переменную точность в зависимости от технологии.