Чтобы ответить на ваш вопрос, давайте сначала разберем, что такое примесные полупроводники и как температура влияет на концентрацию носителей заряда в них.

Примесные полупроводники образуются за счет введения в чистый полупроводник (например, кремний) небольшого количества примесей (например, фосфора или бора). Эти примеси создают дополнительные уровни энергии, которые влияют на концентрацию носителей заряда (электронов и дырок) в материале.

Теперь рассмотрим температурную зависимость концентрации носителей заряда:

1. Область истощения примесей: В этой области концентрация примесей становится недостаточной для создания значительного количества носителей заряда. Это происходит при низких температурах, когда термическая энергия недостаточна для того, чтобы электроны из примесных уровней перешли в проводимость.
2. Концентрация не меняется с температурой: На этом этапе температура слишком низкая, и термическое возбуждение не вызывает значительных изменений в концентрации носителей заряда. Это соответствует области, где примеси еще не начали активно участвовать в проводимости.
3. Концентрация увеличивается с температурой: При повышении температуры начинается активное возбуждение носителей заряда. Однако в области истощения концентрация примесей еще не достигает критического уровня, поэтому увеличение концентрации происходит медленно.
4. Концентрация резко увеличивается с температурой: Это происходит, когда температура достигает определенного порога, и примеси начинают активно передавать электроны в проводимость. Это уже не область истощения, а область, где примеси начинают активно влиять на проводимость материала.

Таким образом, область истощения примесей соответствует ситуации, когда концентрация не меняется с температурой, так как в этой области примеси еще не начинают активно участвовать в проводимости, и термическая энергия недостаточна для возбуждения носителей заряда.