p-n-переход — это область, образованная соединением полупроводников типа p и типа n. Важно понимать, что в этой области происходит взаимодействие между электронами и дырками, что приводит к образованию различных электрических полей и потенциальных барьеров.

Из предложенных вариантов, правильным ответом является:

Давайте разберёмся, почему именно так:

1. Потенциальный барьер: Когда p-тип и n-тип полупроводников соединяются, электроны из n-области начинают рекомбинировать с дырками в p-области. Это приводит к образованию области вокруг p-n-перехода, где наблюдается изменение концентрации носителей заряда. В результате возникает электрическое поле, которое создаёт потенциальный барьер, препятствующий дальнейшему движению носителей заряда через переход.
2. Ускоряющее электрическое поле: Хотя в p-n-переходе действительно создаётся электрическое поле, оно не является ускоряющим в традиционном смысле. Оно скорее препятствует движению носителей, чем ускоряет их.
3. Потенциальная яма: Потенциальная яма — это концепция, которая относится к другим явлениям в квантовой механике и не применима к p-n-переходу.
4. Тормозящая электрическое поле: Это также не совсем корректный термин в контексте p-n-перехода. Хотя электрическое поле в переходе может замедлять движение носителей, его основная функция — это создание потенциального барьера.

Таким образом, p-n-переход является потенциальным барьером для электронов и дырок, что ограничивает их движение и определяет поведение полупроводниковых устройств, таких как диоды и транзисторы.