Правильная выходная характеристика полевого транзистора показана на

• 
• 
• 

Другие предметы Университет Полевые транзисторы правильная выходная характеристика полевой транзистор промышленная электроника университет электроника характеристики транзистора выходная характеристика Новый

Правильная выходная характеристика полевого транзистора (ПТ) представляет собой график, который показывает зависимость тока стока (I_D) от напряжения стока-истока (V_DS) при различных значениях напряжения затвора-истока (V_GS). Чтобы понять, как выглядит эта характеристика и как ее можно проанализировать, давайте разберем основные шаги:

1. Определение осей координат:
   • Ось X представляет собой напряжение стока-истока (V_DS).
   • Ось Y представляет собой ток стока (I_D).
2. Построение характеристик:
   • При фиксированном значении V_GS, изменяйте V_DS от 0 до максимального значения, при котором транзистор все еще работает в активной области.
   • Записывайте значения I_D для каждого V_DS.
   • Повторите процесс для нескольких значений V_GS (например, V_GS = 2V, 4V, 6V и т.д.).
3. Анализ выходной характеристики:
   • На графике вы увидите несколько кривых, каждая из которых соответствует определенному значению V_GS.
   • При низких значениях V_GS ток I_D будет малым, и кривая будет находиться близко к оси X.
   • С увеличением V_GS, кривая будет подниматься вверх, показывая, что I_D увеличивается.
   • При достижении определенного V_DS, ток I_D стабилизируется и перестает расти, что указывает на то, что транзистор вошел в область насыщения.
4. Определение ключевых точек:
   • Точка отсечки (cut-off) - когда V_GS меньше порогового значения, I_D близок к нулю.
   • Точка активного режима (triode region) - когда транзистор работает как резистор, и I_D линейно зависит от V_DS.
   • Точка насыщения (saturation region) - когда I_D становится постоянным при увеличении V_DS.

Таким образом, выходная характеристика полевого транзистора позволяет визуализировать его поведение в зависимости от различных параметров и является важным инструментом для анализа и проектирования электронных схем.