Для того чтобы ответить на ваш вопрос, давайте сначала разберемся с тем, как работает шунтирующее сопротивление в цепи эмиттера транзистора в усилительном каскаде с общим эмиттером (ОЭ).

Шунтирующее сопротивление в цепи эмиттера предназначено для улучшения стабильности работы транзистора и увеличения его линейности. Оно подключается параллельно эмиттеру и, как правило, имеет малое значение сопротивления. Это сопротивление влияет на частотные характеристики каскада.

Теперь рассмотрим, как большая емкость, подключенная параллельно шунтирующему сопротивлению, влияет на работу каскада:

• При низких частотах (НЧ) большая емкость ведет себя как короткое замыкание, что позволяет сигналу проходить через нее и уменьшает влияние шунтирующего сопротивления.
• При средних частотах (СЧ) емкость начинает проявлять свои реактивные свойства, и влияние шунтирующего сопротивления становится более заметным, что может привести к ухудшению усиления.
• При высоких частотах (ВЧ) емкость становится доминирующим элементом, так как её реактивное сопротивление уменьшается, что приводит к значительному снижению усиления и изменению характеристик каскада.

Таким образом, можно сделать вывод: большая емкость, шунтирующая сопротивление в цепи эмиттера транзистора усилительного каскада ОЭ, оказывает наибольшее влияние на высокочастотный диапазон (ВЧ). При этом она может значительно уменьшать усиление сигнала на этих частотах.

Итак, правильный ответ на ваш вопрос: ВЧ.