В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут

Другие предметы Университет Работа биполярного транзистора мощности биполярный транзистор мощности потерь точки отсечки точки насыщения силовая электроника режим работы университет электроника транзисторы анализ потерь Новый

В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности, важно понимать, как возникают потери в точках отсечки и насыщения. Давайте разберем это подробнее.

1. Потери в точке отсечки:

• Когда транзистор находится в состоянии отсечки, он полностью закрыт, и ток через него не протекает.
• Тем не менее, даже в этом состоянии, существует небольшая утечка тока, называемая током утечки (I_CBO), которая может вызывать потери.
• Потери в точке отсечки можно выразить как произведение напряжения на ток утечки: P_off = V_CE * I_CBO.

2. Потери в точке насыщения:

• Когда транзистор находится в состоянии насыщения, он полностью открыт, и ток через него максимален.
• В этом состоянии также существует напряжение на коллекторе-эмиттере (V_CE(sat)), которое является небольшим, но конечным.
• Потери в точке насыщения можно выразить как произведение тока коллектора (I_C) на напряжение насыщения: P_sat = V_CE(sat) * I_C.

3. Итог:

• Таким образом, потери в ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности складываются из потерь в точке отсечки и потерь в точке насыщения.
• Важно минимизировать оба типа потерь для повышения эффективности работы транзистора.

В заключение, понимание этих потерь помогает в проектировании более эффективных и надежных схем на основе биполярных транзисторов.