В МОП-транзисторе (металлооксидном полупроводниковом транзисторе) управляющее напряжение действительно подается на затвор, который изолирован от подложки (или стока) слоем оксида. Это напряжение регулирует ширину проводящего канала, который образуется между источником и стоком. Давайте рассмотрим этот процесс подробнее.

1. Подключение напряжения к затвору: Когда на затвор подается положительное напряжение (для n-канала),электрическое поле, создаваемое этим напряжением, влияет на подложку.
2. Инжекция носителей: В результате действия электрического поля, в области под затвором происходит инжекция электронов (или дырок для p-канала),что приводит к образованию проводящего канала между источником и стоком.
3. Регулировка ширины канала: Изменяя величину напряжения на затворе, мы можем контролировать количество носителей заряда в канале. Это, в свою очередь, влияет на его ширину и проводимость.
4. Закрытие канала: Если напряжение на затворе снижается ниже определенного порога (порогового напряжения),проводящий канал закрывается, и транзистор переходит в состояние отключения.

Таким образом, управляя напряжением на затворе, мы можем контролировать состояние МОП-транзистора, что делает его важным элементом в схемах силовой электроники. Понимание этого процесса необходимо для правильного использования МОП-транзисторов в различных приложениях.