В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы

• открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
• открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
• закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
• закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода

Другие предметы Университет Отказы в силовых полупроводниках силовая электроника мостовые схемы МДП-транзисторы отказы транзисторов паразитные транзисторы входная емкость внутренний обратный диод открытие транзисторов закрытие транзисторов пороговый уровень Новый

В мостовых схемах, использующих быстрые МДП-транзисторы, могут возникать различные отказы, которые могут негативно сказаться на работе устройства. Давайте рассмотрим каждый из упомянутых вами отказов более подробно.

1. Открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня:

   Когда нижний транзистор открывается, если заряд на его входной емкости превышает пороговое значение, это может привести к нежелательному включению транзистора. Это происходит из-за того, что на входе транзистора накапливается заряд, который создает напряжение, достаточное для его открытия. В результате, транзистор может начать проводить ток, даже если управляющий сигнал не подан.

2. Открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода:

   Внутренний обратный диод, который присутствует в структуре МДП-транзистора, может привести к открытию паразитного биполярного транзистора при его выключении. Это происходит, когда ток через диод создает достаточный уровень заряда в базе паразитного транзистора, что может вызвать его включение. Это может привести к нежелательным токам и потерям в системе.

3. Закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня:

   Закрытие нижнего транзистора может также происходить, если заряд на входной емкости не успевает снизиться ниже порогового уровня. В этом случае транзистор может оставаться в открытом состоянии дольше, чем необходимо, что может привести к перегреву и повреждению устройства.

4. Закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода:

   При выключении внутреннего обратного диода паразитный биполярный транзистор может закрываться. Этот процесс может быть сложным, так как он зависит от динамики зарядов в системе. Если процесс закрытия происходит медленно, это может привести к нежелательным потерям и изменению характеристик работы схемы.

Понимание этих отказов и их механизмов является важным для проектирования надежных мостовых схем на базе МДП-транзисторов. Необходимо учитывать эти аспекты при разработке и тестировании схем, чтобы минимизировать риск возникновения подобных проблем.