2025-08-29 23:42:54
В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
- открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
- открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
- закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
- закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
Другие предметы Университет Отказы в мостовых схемах на основе МДП-транзисторов силовая электроника мостовые схемы МДП-транзисторы отказы транзисторов открытие нижнего транзистора заряд входной емкости пороговый уровень паразитный биполярный транзистор выключение обратного диода закрытие нижнего транзистора внутренний обратный диод
2025-08-29 23:43:03
В мостовых схемах, использующих быстрые МДП-транзисторы, могут возникать различные отказы, которые могут негативно повлиять на их работу. Давайте рассмотрим каждую из упомянутых ситуаций подробнее.
-
Открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня:
Когда нижний транзистор открывается, его входная емкость может накапливать заряд. Если этот заряд превышает пороговое напряжение, транзистор может случайно открыться, что приведет к нежелательному состоянию в схеме. Это может произойти, если управление транзистором неэффективно или если есть помехи в сигнале управления.
-
Открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода:
Внутренний обратный диод может вести себя как биполярный транзистор. При выключении, если напряжение на аноде диода становится выше, чем на катоде, это может привести к открытию паразитного биполярного транзистора. Это открытие может вызвать нежелательные токи и повредить схему.
-
Закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня:
При закрытии нижнего транзистора, если входная емкость все еще заряжена выше порогового уровня, это может привести к тому, что транзистор не сможет полностью закрыться. Это может вызвать утечку тока и снизить эффективность работы схемы.
-
Закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода:
Когда внутренний обратный диод выключается, паразитный биполярный транзистор также может закрываться. Однако, если это происходит неэффективно, может возникнуть ситуация, когда транзистор не полностью закрывается, что также может привести к нежелательным последствиям в работе схемы.
Каждый из этих отказов может существенно повлиять на работу мостовой схемы. Поэтому важно учитывать их при проектировании и эксплуатации схем на основе МДП-транзисторов, а также применять соответствующие методы защиты и управления для минимизации рисков.