В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение MOSFET (металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы) и IGBT (транзисторы с изолированным затвором). Эти компоненты стали популярными благодаря своим уникальным характеристикам и преимуществам. Давайте рассмотрим, почему именно они используются.

• MOSFET:
  • Высокая скорость переключения: MOSFET способны быстро включаться и выключаться, что делает их идеальными для высокочастотных приложений.
  • Низкие потери на насыщение: благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии, они обеспечивают меньшие потери энергии.
  • Простота управления: управление MOSFET осуществляется с помощью напряжения, что упрощает схемы управления.
• IGBT:
  • Высокая мощность: IGBT может работать с большими токами и напряжениями, что делает их подходящими для мощных приложений.
  • Комбинированные характеристики: IGBT объединяют в себе преимущества MOSFET и биполярных транзисторов, обеспечивая хорошую скорость переключения и низкие потери.
  • Применение в инверторах: IGBT часто используются в инверторах для преобразования постоянного тока в переменный, например, в солнечных инверторах и приводных системах.

Таким образом, выбор между MOSFET и IGBT зависит от конкретных требований приложения, таких как мощность, частота переключения и условия эксплуатации. Оба типа транзисторов играют ключевую роль в современных силовых интегральных схемах и обеспечивают надежность и эффективность в различных электрических системах.