Схема логарифмирования на биполярном транзисторе с заземленной базой имеет несколько отличительных свойств. Давайте рассмотрим каждое из предложенных свойств и определим, какие из них действительно относятся к данной схеме.

• Широкий диапазон логарифмирования: Это свойство действительно характерно для схем логарифмирования на биполярных транзисторах. Такие схемы могут обеспечивать широкий диапазон логарифмирования, что позволяет работать с различными уровнями входных сигналов.
• Склонность к самовозбуждению: Это свойство не является характерным для схемы логарифмирования на биполярном транзисторе с заземленной базой. В большинстве случаев такая схема не демонстрирует склонности к самовозбуждению, если она правильно спроектирована.
• Низкое быстродействие при малых входных токах: Это свойство также может быть верным. При малых входных токах быстродействие схемы может снижаться, что связано с особенностями работы транзистора в данном режиме.
• Диапазон логарифмирования ограничен 3-4 декадами: Это свойство тоже имеет место. В большинстве случаев диапазон логарифмирования действительно ограничен 3-4 декадами, что может быть связано с физическими ограничениями самого транзистора и схемы в целом.
• Устойчивая динамическая характеристика: Это свойство можно отнести к данной схеме. Схема логарифмирования на биполярном транзисторе с заземленной базой обычно демонстрирует хорошую устойчивость динамических характеристик.
• Более высокое быстродействие: Это свойство не является характерным для данной схемы. Обычно схемы логарифмирования имеют ограниченное быстродействие, особенно при работе с малыми входными сигналами.

Таким образом, отличительными свойствами схемы логарифмирования на биполярном транзисторе с заземленной базой являются:

• Широкий диапазон логарифмирования
• Низкое быстродействие при малых входных токах
• Диапазон логарифмирования ограничен 3-4 декадами
• Устойчивая динамическая характеристика