При выращивании слоя арсенида галлия методом молекулярно-лучевой эпитаксии, при каком минимальном значении скорости роста слоя содержание кислорода в слое будет менее 0,01 ат.%, если остаточное давление кислорода в ростовой камере составляет 10^-10 миллиметров ртутного столба, а температура роста структуры равна 500 °C? Предполагается, что каждая молекула кислорода, попадая в слой, остается в нем.

Физика 11 класс Методы эпитаксии и рост полупроводниковых слоев арсенид галлия молекулярно-лучевая эпитаксия скорость роста слоя содержание кислорода остаточное давление кислорода температура роста структуры физика полупроводников эпитаксия полупроводников свойства арсенида галлия методы роста полупроводников Новый

Минимальная скорость роста слоя арсенида галлия должна составлять не менее 0,1 нм/с.