При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный
Другие предметы Университет Полевые транзисторы силовая электроника полевые транзисторы изолированный затвор вертикальный канал паразитный p-n-переход униполярный транзистор биполярный транзистор n-p-переход Новый
При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, важно понимать, какие структуры могут образовываться в результате процесса. В данном случае мы рассматриваем паразитные переходы, которые могут возникать в транзисторах.
Параметры, которые стоит учитывать:
Теперь давайте рассмотрим, какие паразитные переходы могут образовываться:
Таким образом, при проектировании и изготовлении полевых транзисторов с вертикальным каналом необходимо учитывать возможность образования паразитных переходов, так как это может значительно повлиять на характеристики устройства и его надежность в работе.